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安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來

發(fā)布時間:2025-11-05 09:01:05     瀏覽:29

  為什么選擇SiC?

  相比傳統(tǒng)硅器件,碳化硅(SiC)具有明顯優(yōu)勢:

  耐壓更高(10倍于硅)

  耐溫更好(3倍于硅)

  發(fā)熱更低

  開關(guān)更快

安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來

  安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優(yōu)勢

  安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現(xiàn)出顯著的技術(shù)亮點:

  超低導通電阻(RDSon):大幅降低傳導損耗

  優(yōu)化的柵極驅(qū)動(Rg=1.81Ω):實現(xiàn)更快開關(guān)速度

  無閾值電壓漂移:長期穩(wěn)定性優(yōu)于競品

  高dv/dt耐受能力(>100V/ns):抗干擾性強

  應(yīng)用案例:在太陽能逆變器中,采用SiC MOSFET可降低系統(tǒng)損耗達30%,效率輕松突破98%。

1200V/900V SiC MOSFET

  主要應(yīng)用場景

  1. 太陽能逆變器

  特點:效率更高(>98%)、體積更小

  趨勢:

  小型逆變器:采用SiC分立器件

  大型逆變器:逐步轉(zhuǎn)向全SiC模塊

  2. 電動車充電

  快充樁:必須使用SiC

  充電更快

  設(shè)備更小

  發(fā)熱更少

  典型案例:特斯拉超充已全面采用SiC

安森美SiC MOSFET

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品,歡迎咨詢了解。

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