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  Princeton Microwave低噪聲放大器PMTA-0112-30-4 2024-01-31 11:09:38

  Princeton Microwave普林斯頓微波技術(shù)級聯(lián)放大器分別采用 TO-8 封裝、TC-1 連接器外殼和表面貼裝 PlanerPak 封裝。這些放大器具有 PmT R 系列屏蔽功能，是可級聯(lián)模塊，旨在在惡劣的工作條件下實現(xiàn)最佳性能。它們在指定的頻率響應(yīng)范圍和極端溫度下提供無條件的穩(wěn)定性和有保證的性能。電壓要求從 +5 VDC 到 +24 VDC 不等，具體取決于型號。

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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動器應(yīng)用。它們具有高開關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負(fù)載切換和模擬信號放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時產(chǎn)生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場合，并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。