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  Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz 2024-11-07 09:03:57

  Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內(nèi)的基站應(yīng)用設(shè)計(jì)。其特點(diǎn)包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優(yōu)化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內(nèi)部匹配設(shè)計(jì)以及優(yōu)秀的數(shù)字預(yù)失真能力。適用于多載波應(yīng)用，提供高帶寬和高數(shù)據(jù)速率，技術(shù)參數(shù)包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。

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  ADI晶圓通信基站：大功率射頻芯片對(duì)美依賴性極高 2021-06-07 17:09:06

  通信基站對(duì)國(guó)外芯片的依賴程度很高，其中大部分是美國(guó)芯片公司。目前，基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元（BBU）和射頻遙控單元（RRU）組成。通常，一個(gè)BBU對(duì)應(yīng)多個(gè)RRU。相比之下，RRU芯片國(guó)產(chǎn)化程度低，對(duì)外依存度高，主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場(chǎng)景，通常是GaAs或Gan材料，而中國(guó)大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。