啊灬啊灬啊灬高潮来了,日本一级二级三级在线看,少妇裸体性生交

Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET

發(fā)布時間：2024-04-11 09:25:34 瀏覽：1434

　　Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN這款單P溝道MOSFET產(chǎn)品具備多種出色的特性和應用。它擁有抗輻射能力，能夠承受高達100 krad(Si)TID的輻射水平。在電氣性能上，該產(chǎn)品具有-60V的電壓等級和-0.53A的輸出電流。其采用單通道設計，同時提供P溝道功能，以及UB封裝-UBN的封裝形式。

Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET

　　此外，JANSR2N7626UBN還具有多種顯著特性，如單粒子效應(SEE)強化、5V CMOS和TTL兼容性、快速切換能力、低總澆口電荷、簡單的驅(qū)動要求以及密封設計。它采用表面貼裝方式，具有重量輕的優(yōu)點，并且提供了互補的N溝道型號，如IRHLUB770Z4、IRHLUBN770Z4、IRHLUBC770Z4和IRHLUBCN770Z4。此外，該產(chǎn)品還具有0級的ESD等級，符合MIL-STD-750方法1020標準。

　　在應用領域方面，JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET適用于多種場景，包括用于FPGA、ASIC和DSP內(nèi)核軌的負載點(PoL)轉(zhuǎn)換器、同步整流、有源ORing電路、配電電路以及負載開關等。

　　產(chǎn)品型號：

Part number	Package	Screening Level	TID Level
RHLUB7970Z4	UB	COTS	100 krad(Si)
JANSR2N7626UB	UB	JANS	100 krad(Si)
RHLUB7930Z4	UB	COTS	300 krad(Si
JANSF2N7626UB	UB	JANS	300 krad(Si
RHLUBN7970Z4	UBN	COTS	100 krad(Si)
JANSR2N7626UBN	UBN	JANS	100 krad(Si)
RHLUBN7930Z4	UBN	COTS	300 krad(Si)
JANSF2N7626UBN	UBN	JANS	300 krad(Si)
RHLUBC7970Z4	UBC	COTS	100 krad(Si)
JANSR2N7626UBC	UBC	JANS	100 krad(Si)
RHLUBC7930Z4	UBC	COTS	300 krad(Si)
JANSF2N7626UBC	UBC	JANS	300 krad(Si)
RHLUBCN7970Z4	UBCN	COTS	100 krad(Si)
JANSR2N7626UBCN	UBCN	JANS	100 krad(Si)
RHLUBCN7930Z4	UBCN	COTS	300 krad(Si)
JANSF2N7626UBCN	UBCN	JANS	300 krad(Si)

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

上一篇: Sensata變速器壓力傳感器TPS

下一篇: 0.4-1.0GHz UHF功率晶體管Ampleon

日本强好片久久久久久aaa,揉我奶啊嗯高潮了视频,小说国产精品小说图片区,全球最新亚洲自拍偷拍性生活