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LS1012ASE7EKB低功耗處理器NXP恩智浦

2024-11-18 13:53:51

LS1012A是一款低功耗處理器，專為電池或USB供電、空間受限的網(wǎng)絡和物聯(lián)網(wǎng)應用設計。它集成了Arm Cortex-A53核心，運行速度達1GHz，功耗僅為1W，支持線速網(wǎng)絡性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設備兼容，屬于NXP的EdgeVerse邊緣計算平臺。特點包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口，以及多種外設和安全功能，封裝為211 FC-LGA，9.6x9.6 mm。

Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驅(qū)動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計，特點有頻率穩(wěn)定性高（±5.0ppb）、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性，還有多種頻率穩(wěn)定性相關參數(shù)。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/紙介電容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器，額定電壓為15000V，電容值范圍從0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差選項，工作溫度范圍為-55°C至85°C，絕緣電阻為25至50k ΩF，損耗因子在1,000Hz時為0.6%，測試電壓為額定電壓的150%，適用于高壓電路。

LA9310S7S11AA可編程基帶處理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數(shù)字信號處理器，專為5G基礎設施和定制通信系統(tǒng)設計，具備強大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯能力，適用于網(wǎng)絡監(jiān)聽、小型無線電單元和中繼器等應用，提供8mm x 8mm的封裝和在105C時1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基礎MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎微控制器，專為汽車儀表盤和工業(yè)應用設計，具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構，支持雙WVGA顯示和HUD變形，集成了先進的圖形處理單元和功能安全特性，滿足ISO26262 ASIL-B標準，并提供豐富的軟件支持和開發(fā)工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X壓控晶體振蕩器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻環(huán)境下精確輸出頻率，適用于低噪、低抖、高振環(huán)境。規(guī)格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩(wěn)定性、溫度、電壓等。性能參數(shù)包括調(diào)頻范圍、噪聲、啟動時間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置，特定包裝材料，符合相關標準，適用于通信、精密儀器、工業(yè)自動化設備等。

Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計，具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點，優(yōu)化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅(qū)動等領域，包括工業(yè)和汽車應用，特別是車規(guī)級產(chǎn)品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面貼裝CMOS時鐘振蕩器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝，適用于高頻率穩(wěn)定性和低抖動應用，工作電壓為3.3V或5.0V，頻率穩(wěn)定性為±25ppm或±50ppm，溫度范圍為-20至70°C，頻率范圍為1.0至156.25MHz，負載電容為15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存儲溫度為-55至125°C，采用密封陶瓷封裝，符合RoHS標準的無鉛焊接。

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專為低功耗和低頻率應用設計，具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標準認證、低頻應用中的高性能等特點，適用于DC開關、負載開關等應用，技術規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機控制和電池供電設備。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內(nèi)的基站應用設計。其特點包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優(yōu)化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內(nèi)部匹配設計以及優(yōu)秀的數(shù)字預失真能力。適用于多載波應用，提供高帶寬和高數(shù)據(jù)速率，技術參數(shù)包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。

Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進制MOS電容器

2024-11-06 09:09:59

Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質(zhì)和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數(shù)、Q值、溫度系數(shù)和工作溫度范圍等。

Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交換機

2024-11-05 09:06:19

Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交換機，具備50個通道和端口，支持高速數(shù)據(jù)傳輸、低延遲和靈活的fabric拓撲結構，特別適合數(shù)據(jù)中心和云服務提供商。它具備嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架構、48個DMA通道、消除PCIe拓撲限制、專為NVMe AFA系統(tǒng)設計、生命周期活躍功能、雙管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在構建高性能、低延遲、可擴展的PCIe fabrics。

Q-TECH QTCV356系列小型化SMD電壓控制晶體振蕩器

2024-11-04 09:04:41

QTCV356系列VCXOs（壓控晶體振蕩器）是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時鐘方波發(fā)生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器，適用于低電壓應用。其主要特性包括寬頻率范圍（1.000MHz到156.250MHz）、小尺寸（3.2 x 5mm）、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設計、符合MIL-PRF-55310標準的軍事級篩選測試，以及無鉛和RoHS合規(guī)。該系列產(chǎn)品廣泛應用于槍械發(fā)射彈藥和系統(tǒng)、智能彈藥、儀器儀表、以太網(wǎng)/同步、SONET、微處理器時鐘等領域。

Delta HCME1012(F)系列電感器

2024-11-01 09:35:05

Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設計中發(fā)揮關鍵作用，適用于電源管理、信號過濾等領域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值，低直流電阻（33 mΩ）、高飽和電流（178 A），工作溫度范圍寬（-40℃至125℃），精度±10%至±15%。其緊湊尺寸（10.0x6.0~6.2x12.0mm）和嚴格的質(zhì)量控制確保了在多種應用中的高效率和可靠性。

Bliley高性能BOCSE系列非PLL晶體振蕩器

2024-11-01 09:23:34

Bliley的BOCSE系列非PLL晶體振蕩器穩(wěn)定性和精確度高，符合高端市場需求，適用于軍事、儀器儀表等多領域。它采用2.5x2.0mm封裝，符合軍用標準，頻率1.5 - 170MHz，溫度穩(wěn)定性±25 - ±100ppm，電源電壓多樣，工作溫寬（-55°C - +125°C）。具有響應快、輸出穩(wěn)、相位噪聲和抖動低等性能，通過多項測試且包裝安全。

LS94,SST94單通道P溝道JFET開關Linear Systems

2024-11-01 09:18:08

LS94和SST94是Linear Systems公司生產(chǎn)的單通道P溝道JFET開關，專為超低噪聲音頻/聲學應用設計，可直接替代Toshiba 2SJ94。它們具有高跨導（22 mS）、高輸入阻抗（1 nA）、低電容（32 pF）和多種封裝形式（TO-92、SOT-89、裸片）。電氣特性包括柵極到漏極擊穿電壓25V、柵極到源極開啟電壓0.15V至2V、漏源飽和電流-30 μA至-2.6 mA等。這些特性使得LS94和SST94成為高增益放大應用中的理想選擇，尤其在高輸入阻抗和低噪聲需求場合。

X-1620NL SMT信號隔離變壓器iNRCORE

2024-10-31 09:02:02

iNRCORE X-1620NL是一款專為惡劣環(huán)境設計的小尺寸信號隔離表面貼裝變壓器，具備高隔離電壓（至少3kVrms）、寬工作溫度范圍（-55°C至+125°C）、耐用材料（錫/鉛結構）和濕度敏感性等級3級。其電氣規(guī)格包括匝比1CT:1CT（±2%精度）、初級電感至少1mH、最大0.8Ω直流電阻、最大1.2mH漏感、最大25pF繞組間電容和最大10pF初級電容。物理特性為1.16g重量和10.03 × 8.89 × 6.85mm尺寸，適合空間受限的應用。該變壓器在高溫、濕度和高電壓隔離方面表現(xiàn)卓越，適用于工業(yè)控制、汽車電子和通信設備等高環(huán)境適應能力需求場景。

Ampleon ART1K6PH LDMOS功率晶體管1600W

2024-10-31 08:59:06

Ampleon的ART1K6PH LDMOS射頻功率晶體管是一款專為工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)應用、廣播和通信市場設計的1600W高功率器件，頻率范圍覆蓋1MHz至450MHz。其核心特性包括高擊穿電壓、寬帶操作、簡易功率控制、集成ESD保護以及高效率與熱穩(wěn)定性，適用于等離子體發(fā)生器、MRI系統(tǒng)、粒子加速器、FM無線電、VHF電視、非蜂窩通信和UHF雷達系統(tǒng)等多種應用。技術參數(shù)顯示其在高功率輸出下具有優(yōu)異的功率增益和漏極效率，封裝形式為OMP-1230-4F-1，支持回流/波峰焊接。

Statek SWCX4V/SWCX4石英晶體

2024-10-30 09:23:55

Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶體專為抗輻射應用設計，采用高溫電掃工藝的培養(yǎng)石英，能耐受超過100 krad的輻射劑量，保持頻率穩(wěn)定。特點包括高沖擊電阻、超高可靠性、客戶定制設計、低老化率、嚴格的無塵室生產(chǎn)工藝，適用于軍用和航天級應用，如衛(wèi)星系統(tǒng)、太空探索任務和深空探測器。

Connor-Winfield 93600-XXXX系列表面貼裝高頻VCXO

2024-10-30 09:00:38

Connor-Winfield 93600-xxxx系列是一款5.0 x 3.2mm高頻基頻表面貼裝晶體，專為高頻VCXO設計，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。其特點包括溫度穩(wěn)定性±25ppm，工作溫度范圍-40至85°C，中心頻率70-300 MHz，并聯(lián)電容5.0 pF，動態(tài)電容4.0 fF，等效串聯(lián)電阻25 Ohm，負載電容20 pF，驅(qū)動電平100 μW，符合RoHS標準。